Conception de précurseurs moléculaires organométalliques pour le dépôt de couches atomiques
- auteur: Gerkens, Dr. Jan
- Disponibilité: En stock
- EAN: 9783863761820
€39,90
Au cours des dernières décennies, la miniaturisation des matériaux était immanente dans tous les domaines de la technologie, en particulier dans l'industrie des semi-conducteurs. De nos jours, la miniaturisation des composés semi-conducteurs a atteint un niveau où les procédés de fabrication établis atteignent leurs limites techniques. Le dépôt de couche...
Au cours des dernières décennies, la miniaturisation des matériaux était immanente dans tous les domaines de la technologie, en particulier dans l'industrie des semi-conducteurs. De nos jours, la miniaturisation des composés semi-conducteurs a atteint un niveau où les procédés de fabrication établis atteignent leurs limites techniques. Le dépôt de couche atomique (ALD) offre une méthode alternative pour le dépôt de films métalliques ultra-minces, étape cruciale dans la fabrication de composés semi-conducteurs. Basé sur une réaction chimique entre la surface et la phase gazeuse, l'ALD est un processus qui touche à la fois la chimie de synthèse et les sciences des matériaux.
Cette thèse de doctorat porte sur le développement de nouveaux produits chimiques à utiliser comme précurseurs dans l'ALD. Dans le cadre d'une coopération de recherche et développement avec BASF, les propriétés d'une nouvelle série de complexes silylamido de cobalt et de nickel en solution, à l'état solide et en phase gazeuse sont étudiées et évaluées en vue de leur utilisation comme précurseur d'ALD. De plus, des expériences de dépôt de chalcogénures de tantale et de molybdène ont été réalisées pour tester l'application de l'ALD dans le domaine de la séparation électrochimique de l'eau.
Détails
- Titre : Conception de précurseurs moléculaires organométalliques pour le dépôt de couches atomiques
- Sous-titres : - Dépôt de couche atomique : défis et opportunités - Synthèse et caractérisation d'une nouvelle série de complexes amidos de cobalt à faible valence - Identification de précurseurs prometteurs contenant du cobalt pour le dépôt de couche atomique...
- Auteur : Dr. Jan Gerkens
- Édition : 1ère édition
- Université : Université Georg-August de Göttingen
- Sortie : 1ère édition le 21 décembre 2020
- Sujet : Chimie
- Type de produit : Livre (relié)
- Type de produit : Mémoire
- Langue : anglais
- Reliure : Couverture souple (broché)
- Dimensions : 21,0 x 14,8 cm (DIN A5)
- Étendue : XII / 143 pages
- État : neuf (emballé sous film plastique)
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